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    通過(guò)縮口工藝提高Bi2Se3晶體的熱電性能

    更新時(shí)間:2019-07-31點(diǎn)擊次數(shù):2265

    【引言】

    硒化鉍是A2B3硫族化物中的化合物(A=鉍/銻,B=碲/硒)。碲化鉍在室溫下具有較好的熱電性能,但由于碲的稀缺性和毒性,其成本較高,不得不使用一種替代品,即硒化鉍。近年來(lái),硒化鉍作為一種新型的三維拓?fù)浣^緣體得到了廣泛的應(yīng)用。

     

    【成果介紹】

    Shashikant Gupta等人采用高溫垂直布里吉曼技術(shù),用一種專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的具有縮口工藝的安瓿瓶生長(zhǎng)出高純度硒化鉍單晶。進(jìn)行了多次生長(zhǎng)試驗(yàn),取得了較好的結(jié)果。在真空條件下,使用Linseis的激光/氙燈閃射導(dǎo)熱儀LFA-1000在直徑為12.7 mm的圓盤(pán)上對(duì)樣品進(jìn)行熱擴(kuò)散率測(cè)量。通過(guò)粉末X射線衍射確定了晶粒結(jié)構(gòu)和晶格尺寸,采用高分辨率X射線衍射法分析了塊狀晶粒的結(jié)晶完整性,證實(shí)了具有分層結(jié)構(gòu)的塊狀晶粒的結(jié)晶完整性。對(duì)生長(zhǎng)的單晶進(jìn)行透射電鏡觀察,確定了其具有層狀結(jié)構(gòu)。高分辨率透射電鏡也被用來(lái)進(jìn)一步表征晶體的結(jié)晶完整性。直接測(cè)量高分辨率透射電子顯微鏡成像得到的間距與粉末X射線衍射法得到的數(shù)據(jù)具有較高的一致性。用差示掃描量熱法對(duì)其熱行為進(jìn)行了檢測(cè),在983 K處發(fā)現(xiàn)了明顯的熔融現(xiàn)象,表明了硒化鉍的純度。測(cè)量了塞貝克系數(shù)、電導(dǎo)率和導(dǎo)熱系數(shù),并計(jì)算了熱電優(yōu)值,以評(píng)估晶體在制冷和便攜式發(fā)電等熱電應(yīng)用方面的適用性,并進(jìn)行了納米壓痕分析。

     

    【圖文導(dǎo)讀】

     

    圖1 (a)安瓿瓶原理圖和(b)爐溫曲線。

     

    圖2 垂直布里奇曼裝置原理圖:(1)爐、(2)安瓿瓶座、(3)線圈、(4)安瓿瓶移動(dòng)棒、(5)垂直移動(dòng)機(jī)械支架、(6)包含步進(jìn)電機(jī)的氣缸、(7)步進(jìn)電機(jī)、(8)納米轉(zhuǎn)換控制器、(9)爐溫度控制器、(10)機(jī)械支架電機(jī)、(11)機(jī)械支架控制器

     

     

    圖3 (a)結(jié)晶過(guò)程的輪廓曲線和(b)生長(zhǎng)Bi2Se3晶體的錠。

     

    圖4 (a)生長(zhǎng)的Bi2Se3粉末XRD圖譜;(b)生長(zhǎng)的Bi2Se3裂解單晶的XRD圖譜。

     

     

    圖5切割晶體對(duì)稱(chēng)幾何平面(006)的高分辨率衍射曲線

     

     

    圖6 (a)顯示分層結(jié)構(gòu)的Bi2Se3單晶的透射電鏡圖像和(b)顯示條紋晶格的高分辨率透射電鏡圖像

     

     

    圖7 Bi2Se3的DSC圖譜

     

    圖8 塞貝克系數(shù)與溫度的關(guān)系

     

     

    圖9 電導(dǎo)率和導(dǎo)熱系數(shù)與溫度的關(guān)系

     

     

    圖10 靈敏度與溫度的關(guān)系

     

     

    圖11 硒化鉍單晶的負(fù)載-位移曲線。圖中的插圖顯示了(001)平面壓痕后的典型壓痕。

     

     

    圖12 樣品上壓痕的輪廓。插圖顯示了壓痕機(jī)壓痕的形貌

     

     

    圖13 (a)峰值荷載與接觸深度的關(guān)系,(b)楊氏模量與峰值荷載的關(guān)系,(c)剛度與接觸深度的關(guān)系

     

    【結(jié)論】

    Shashikant Gupta等人介紹了關(guān)于一種特殊設(shè)計(jì)的安瓿瓶的新型縮口工藝,采用垂直布里吉曼高溫熔體生長(zhǎng)技術(shù),成功地生長(zhǎng)出高純度Bi2Se3單晶。通過(guò)粉末X射線衍射、高分辨率X射線衍射和高分辨率透射電鏡分析了晶粒尺寸和結(jié)晶完整性。采用差示掃描量熱儀對(duì)其熱穩(wěn)定性和相變進(jìn)行了檢測(cè),發(fā)現(xiàn)在生長(zhǎng)過(guò)程中沒(méi)有形成其他相。在303~423 K的不同溫度下對(duì)優(yōu)值系數(shù)進(jìn)行了分析,發(fā)現(xiàn)在423 K處優(yōu)值系數(shù)具有大值0.75。對(duì)大部分晶體或納米晶體結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō),在303~423 K不同溫度下的優(yōu)值系數(shù)高于已報(bào)道過(guò)的文獻(xiàn)中給出的值。這一結(jié)果歸因于從高分辨率X射線衍射圖譜觀察到的塊狀晶粒的結(jié)晶完整性。并采用納米壓痕法對(duì)目標(biāo)化合物進(jìn)行了力學(xué)性能表征,硬度值為85.09 MPa,彈性模量值為6.361 GPa。

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